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長江存儲與美光芯片戰升級。 3D NAND閃存制造商長江存儲，已于9日在美國加州北區地方法院對美國記憶芯片龍頭美光科技提告，指控美光侵犯了長江存儲8項與3D NAND相關的美國專利。

　　據報道，本次涉案的長江存儲的美國專利，包括US10,950,623（3D NAND內存件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存儲裝置及控制方法）、US10,658,378（三維內存件的直通陣列接觸 （TAC））、US10,937,806 （三D內存件的直通陣列接觸 （TAC））、US10,861,872（三D內存件及其形成方法）、US11,468,957（NAND內存操作的體系結構和方法）、US11,600,342（三D維閃存的讀取方法）、US10,868,031（多層堆疊三D內存件及其制造方法）。


　　長江存儲在提告書中稱，美光的128層、176層等許多系列3D NAND侵犯了長江存儲8項專利。 美光在未經授權的情況下利用長江存儲的專利技術來與長江存儲進行競爭，保護市場占有率，侵犯了長江存儲的利益，遏制了創新的動力。

　　近年來，隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，周邊CMOS電路所占據的芯片面積或將達到50%以上。 為了解決這一問題，長江存儲在2018年推出了自研的創新的Xtacking技術。

　　長江存儲科成立于2016年7月，總部位于湖北武漢， 是一家專注于3D NAND閃存設計制造一體化的IDM集成電路企業，同時也提供完整的存儲器解決方案。

　　網信辦于今年5月21日公布，美光在大陸銷售的產品，存有嚴重的網絡安全問題，未通過審查，因此大陸營運商應停止采購美光的產品，代表美光產品在大陸將面臨禁售危機。

　　英國金融時報報道，美國于2022年10月對先進芯片生產設備實施出口限制措施，并將長江存儲等36家陸企列入貿易黑名單。

　　調查發現，美光多年來一直扮演「商業抓耙子」角色，早年美日半導體競爭之際，美光曾控拆日本多家企業傾銷DRAM產品，加上近4年美光提交逾170個游說內容都與大陸有關，基于前述兩理由，合理質疑美光這次圍殺陸記憶體芯片產業，美光可能是幕后推手。

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